제품정보
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Zr precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| ZAC |
110 / 1 |
185 |
8.4 |
High-k |
| SZ-400 |
110 / 1 |
185 |
4.1 |
| SZ-1200 |
145 / 1 |
221 |
18.5 |
| SZ-1300 |
144 / 1 |
222 |
3.89 |
| SZ-1400 |
163 / 1 |
242 |
7.28 |
Ge precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| GE-100 |
126 / 1 |
200 |
3.43 |
Dopant &
New memory |
| GE-200 |
135 / 1 |
208 |
11.3 |
Hf precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| HAC |
93 / 1 |
178 |
14.3 |
High-k |
| SH-200 |
150 / 1 |
213 |
17.6 |
| SH-300 |
141 / 1 |
209 |
6.46 |
| SH-400 |
163 / 1 |
240 |
7.20 |
Nb precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| TBTDEN |
91 / 1 |
207 |
|
High-k |
| SN-200 |
137 / 1 |
229 |
|
| SN-300 |
- |
189 |
|
Si precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| PS-100 |
155 / 1 |
239 |
- |
Dopant |
| PS-300 |
77 / 1 |
172 |
|
| PS-400 |
- |
164 |
|
| 제품명 |
Assay (%) |
Purity (%) |
Color |
비고 |
| OMCTS |
99.984 |
99.99999 |
Colorless |
Low-k |
Al precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| AL-300 |
98 / 1 |
181 |
6.9 |
High-k |
| AL-400 |
148 / 1 |
225 |
11.9 |
Ti precursor 기초 물성
| 제품명 |
V.P. ( ℃ / torr ) |
T½ (℃) |
점도 (cP) |
비고 |
| TI-100 |
147 / 1 |
218 |
2.6 |
Barrier metal |
| TI-400 |
170 / 1 |
250 |
2.74 |
Mo precursor 기초 물성
자료 준비중 입니다
Co precursor 기초 물성
자료 준비중 입니다
